第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开，详见后文
当地时间8月23日，英伟达公布最新财报显示，英伟达第二财季营收为135.07亿美元，与上年同期的67.04亿美元相比增长101%，与上一财季的71.92亿美元相比增长88%，创下历史纪录；净利润为61.88亿美元，与上年同期的6.56亿美元相比增长843%，与上一财季的20.43亿美元相比增长203%。
(资料图)
其中，英伟达旗下数据中心业务第二财季营收为103.2亿美元，与上年同期相比增长171%，与上一财季相比增长141%，创下历史纪录；英伟达旗下游戏业务第二财季营收为24.9亿美元，与上年同期相比增长22%，与上一财季相比增长11%。
英伟达第二财季运营支出为26.62亿美元，与上年同期的24.16亿美元相比增长10%，与上一财季的25.08亿美元相比增长6%。其中，研发支出为20.40亿美元，上年同期为18.24亿美元。
英伟达第二财季运营利润为68.00亿美元，与上年同期的4.99亿美元相比增长1263%，与上一财季的21.40亿美元相比增长218%。此外，英伟达预计，2024财年第三财季该公司的营收将达160亿美元，上下浮动2%，这一业绩展望超出分析师此前预期的125亿美元。
分部来看，数据中心收入为103亿美金，同比增长171%，环比增长141%，增长来自CSP和大型互联网客户，由LLM和生成式AI对Hopper和Ampere GPU的需求驱动。其中Hopper平台放量带来计算部分（加速卡）收入同环比增长为195%和157%，而IB架构的配套需求使得网络（Mellanox）收入同环比增长94% 、85%。
游戏业务同比增长22%，环比增长11%，主要来自RTX 40系列渠道库存去化后的拉货；专业可视化业务同比下滑24%，环比增长28%，影响因素主要有渠道库存和Ada Lovelace架构RTX产品爬坡；汽车业务同比增长15%，环比下滑15%，影响因素主要有自动驾驶的持续渗透和汽车需求下滑。
值得关注的是，英伟达L40S不受CoWoS产能限制，正在向各大服务器厂商发货，戴尔、惠普、联想等企业很快将提供近100种英伟达AI服务器配置，贡献未来的收入增长。
GH200超级芯片进入全面生产阶段，将于本季度在OEM服务器上市，并向多个超算客户发货。使用三星HBM3E的第二代GH200将于24年二季度上市，DGX GH200系统将在23年底率先提供给谷歌云、Meta和微软。
Spectrum X由以太网交换机、Bluefield 3和软件组成，整体AI性能和能效相比传统以太网提高了1.5倍。
分析师指出，英伟达GPU需求可见性将延续到明年，而随着供应商扩产和交期缩短，公司在未来几个季度和下一财年的供应将继续增加。此外，新的L40S GPU将有助于满足从云到企业对多种类型工作负载不断增长的需求。
此外，英伟达还额外批准了250亿美元的股票回购。截至发稿，英伟达盘后股价涨近10%，收市后价格创历史新高。
来源：今日半导体
以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体是战略性新兴产业的核心材料，在《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中被列为重点；碳中和与新能源体系变革的背景下，在风电、光伏、新能源汽车、储能等行业应用前景广阔。
据行业机构预测，到2026年，碳化硅产品市场将达35亿美元，氮化镓功率产品市场需求增长到21亿美元。近年来，国内企业如三安、英诺赛科、士兰明镓等不断布局氮化镓项目，全产业链项目约26个，国外龙头如英飞凌等也正积极布局。
在碳化硅功率器件市场，受益于特斯拉的应用需求，意法半导体领先全球市场；Wolfspeed、安森美和罗姆等厂商跟随。衬底、外延、芯片三个环节技术含量密集，是投资和创新重点。碳化硅6英寸衬底技术已经稳定导入产业，8英寸衬底正在探索商业化量产，其中尤以衬底大厂Wolfspeed推进最为迅速，国内企业在提供样品或小规模供货阶段。
第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开。重点关注碳化硅、氮化镓产业链前景，最新衬底、外延、器件技术与项目投资，碳化硅、氮化镓长晶技术，净化工程与EPC，新兴化合物半导体前沿技术与应用。参观第三代半导体重点企业与项目。
会议主题包括但不限于
国际形势对中国第三代半导体发展的影响
第三代半导体市场及产业发展机遇
6寸与8寸SiC项目投资与市场需求
SiC长晶工艺技术与设备
净化工程与EPC工程项目实践
8英寸SiC国产化进程和技术突破
SiC市场以及技术发展难题&解决方案
SiC与GaN外延片技术进展
大尺寸GaN长晶难点及技术展望
GaN材料技术进展
SiC与GaN器件与下游应用
功率器件封装技术与材料
新兴化合物半导体进展：氧化镓、氮化铝、金刚石、氧化锌
工业参观与考察（重点企业或园区）
最新日程如下
会议日程 |
宽禁带器件应用中的机遇与挑战（题目暂定） ——厦门三安光电有限公司（已定） |
中国第三代半导体产业布局情况（题目暂定） ——中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（已定） |
SiC单晶生长技术浅析及应用展望（题目暂定） ——山西烁科晶体有限公司（已定） |
国产碳化硅功率器件机遇和挑战（题目暂定） ——安徽芯塔电子科技有限公司（已定） |
国产SiC MOSFET发展要点浅析 ——泰科天润半导体科技（北京）有限公司（已定） |
用于汽车半导体的碳化硅MOSFET解决方案（题目暂定） ——深圳基本半导体有限公司（已定） |
大尺寸碳化硅单晶工艺控制 ——山东天岳先进材料科技有限公司（待定） |
碳化硅晶体的生长技术，PVT法及液相法 ——中国电子科技集团公司第二研究所（待定） |
大尺寸碳化硅晶圆制造技术难点 ——上海积塔半导体有限公司（待定） |
Si基GaN器件及系统研究与产业前景 ——南方科技大学（待定） |
氮化镓同质外延功率/射频器件应用与相关单晶衬底制备技术的研发进展 ——东莞中镓半导体科技有限公司（待定） |
中国第三代半导体供应链现状 ——厦门士兰明镓化合物半导体有限公司（待定） |
GaN在车用功率半导体的应用 ——苏州晶方半导体科技股份有限公司（待定） |
*以上演讲报告列表将随着会议邀请工作进展不断更新，最终版以会场发布为准。
若您有意向参与演讲、赞助或参会，欢迎联系我们！（见文末）
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中国大陆半导体湿电子化学品项目表（月度更新）
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中国大陆上月半导体前道设备进口数据表（月度更新）
中国大陆半导体大硅片项目地图（月度更新）
中国大陆8英寸晶圆厂项目地图（月度更新）
中国大陆12英寸晶圆厂项目地图（月度更新）
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